买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR316DP-T1-GE3 MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR316DP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts
SIR316DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 25 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 30 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0054 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR316DP-T1-GE3
SIR330DP-T1-GE3
SIR401DP-T1-GE3
SIR402DP-T1-E3
SIR402DP-T1-GE3
SIR403EDP-T1-GE3
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电话
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深圳市欧和宁电子有限公司 0755-29275935 李先生
深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
  • SIR316DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,950 0.552 1076.4
    3,000 0.524 1572
    6,000 0.496 2976
    12,000 0.456 5472